捅破AI存储天花板！闪迪、铠侠联手推出332层BiCS10闪存：1Tb容量+4.8Gb/s

其一是捅破天花CMOS直接键合到阵列技术，SCA协议及PI-LTT低功耗技术。存储出层输入功耗较BiCS8降低10%，板闪首款产品为1Tb TLC型号，迪铠位密度提升59%，侠联

其二是手推闪存间距选择栅极漏极技术，目前没有公布具体的容量单颗售价。写入能效提升18%，捅破天花这两项技术的存储出层成熟与迭代，输出功耗降低34%。板闪闪迪与铠侠联合宣布，迪铠

性能方面，侠联通过优化存储单元的手推闪存排列布局来提升密度。将CMOS逻辑电路与存储阵列分别在不同晶圆上制造，容量BiCS10的捅破天花NAND接口速度达到4.8Gb/s，

两家公司均未将BiCS10定位为消费级产品，

7月3日消息，

铠侠预测2026至2028年NAND市场整体出货容量复合年增长率为22%，再通过高精度晶圆对晶圆对准键合。推理及大规模云工作负载设计。

能效表现方面，采用332层堆叠设计。

技术层面，读取能效提升30%。其中数据中心领域增速达46%。第十代BiCS FLASH 3D闪存技术BiCS10正式启动样品交付。

BiCS10在技术架构上延续了BiCS8时代就已采用的两大核心工艺。BiCS10支持Toggle DDR6.0接口标准、该技术将优先应用于企业级与数据中心固态硬盘，专为AI训练、为BiCS10实现332层堆叠和4.8Gb/s接口速度提供了底层支撑。较BiCS8提升了33%。实现了超过29Gb/mm²的业界领先存储密度。

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