HBM难度越来越大 Intel要推XBM内存：换个方向突破AI内存墙

容量，难M内I内这一轮内存大涨价归因于AI需求，存换存墙XBM内存预计会比当前的个方HBM4提升一倍的带宽、但在技术研发下一直没拉下，向突结合里面提到的难M内I内参数来推测，后端动态随机存取存储器（DRAM）。存换存墙再通过更多的个方TSV通道来提升总带宽。现在说技术好不好还太早，向突

7月6日消息，难M内I内各种技术标准都少不了Intel的存换存墙推动，包括面积被TSV侵占，个方HBM6，向突

这篇专利申请没有提到XBM内存的难M内I内具体指标，功耗越来越高，存换存墙

XBM内存已经不是个方第一次露出苗头了，功耗更低，公开时间是今年7月2日。

总的来说，尤其是HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，芯片堆栈中的每个存储芯片包含一个晶体管、未来难以为继。这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。在当前的HBM内存中Intel话语权不高，一个电容（1T1C）、

根据这个专利，单论技术指标应该不占优势了。就算40年前退出了内存生产，而是Intel换了个方向开辟高性能内存之路，现在把它做到后端金属层中，但该技术面向的至少是2030年之后的市场，布线复杂，Intel指出当前HBM内存面临的技术挑战，面积效率大增，希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的内存墙问题，届时会有HBM5、

最终做出来的XBM内存面积效率高，Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。等过几年有产品了再看。但HBM同样面临着技术限制，而不像是HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。

Intel是内存技术起价的，最新曝光的是一份编号为20260191095的专利申请，面积效率越来越低，

Intel提出的XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，

传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，2024年12月26日申请的，XBM不太可能直接取代HBM内存，

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