中国半导体弯道超车！全球首条6/8英寸氧化镓量产：领先国外至少3年

配合超薄衬底加工技术，车全寸氧日盲紫外探测等高端场景。球首大幅减少贵金属铱的化镓消耗。该产线产出的量产领先外延片厚度超过10微米，

氧化镓适配800V车载快充、国外制造成本居高不下，中国至少单块晶体的半导出片量提升至传统工艺的3到4倍。技术水平领先海外同类方案至少三年。体弯条英这条兼容产线可直接复用国内现有成熟晶圆制造设备，道超全球首条兼容6英寸与8英寸的车全寸氧氧化镓同质外延量产线正式全面投产。

技术层面，球首无需新建专属产线。衬底加工到同质外延的全流程量产链路。

小尺寸晶圆单批芯片产出少、

在此之前，海外厂商无法实现6英寸及以上同质外延商业化供货。镓仁半导体一举打通了单晶生长、低导通损耗的材料优势。可充分释放氧化镓超高耐压、膜厚均匀性方差低于1%，全球氧化镓产业长期受限于2至4英寸小尺寸产能瓶颈，

首批6英寸（100）面氧化镓同质外延晶圆已同步交付国内头部晶圆厂开展器件试样验证。这标志着我国第四代超宽禁带半导体材料实现规模化量产重大突破。该产线依托企业自研的铸造法单晶长晶技术与定制化MOCVD外延工艺。部分合作客户已开展长期稳定采购。光伏储能、

8英寸工艺已同步完成技术验证并预留扩产空间，

目前多家海外企业及科研机构已陆续下单，该产线已成为全球唯一具备6英寸氧化镓同质外延稳定供货能力的产线。